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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS12N3LLH5
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STS12N3LLH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS12N3LLH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS12N3LLH5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS12N3LLH5.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4250

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Spezifikation

STS12N3LLH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS12N3LLH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS12N3LLH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) +22V, -20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STS12  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS12N3LLH5.

Produkteigenschaften STS12N3LLH5 STS13N3LLH5 STS17NH3LL STS10P3LLH6
Artikelnummer STS12N3LLH5 STS13N3LLH5 STS17NH3LL STS10P3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) +22V, -20V +22V, -20V ±16V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verlustleistung (max) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 6A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 12mOhm @ 5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1810 pF @ 25 V 3350 pF @ 25 V
Serie STripFET™ V STripFET™ V STripFET™ STripFET™ H6
Grundproduktnummer STS12 STS13 STS17 STS10
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 13A (Tc) 17A (Tc) 10A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V

STS12N3LLH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STS12N3LLH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS12N3LLH5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STS12N3LLH5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS12N3LLH5

STMicroelectronics
32D-STS12N3LLH5

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