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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS17NH3LL
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STS17NH3LL - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS17NH3LL
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS17NH3LL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS17NH3LL.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4400

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Spezifikation

STS17NH3LL Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS17NH3LL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS17NH3LL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer STS17  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS17NH3LL.

Produkteigenschaften STS17NH3LL STS13N3LLH5 STS20N3LLH6 STS1HNK60
Artikelnummer STS17NH3LL STS13N3LLH5 STS20N3LLH6 STS1HNK60
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ STripFET™ V DeepGATE™, STripFET™ VI SuperMESH™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer STS17 STS13 STS20 STS1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 13A (Tc) 20A (Tc) 300mA (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 156 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V +22V, -20V ±20V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 4.7mOhm @ 10A, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V

STS17NH3LL Datenblatt PDF

Laden Sie STS17NH3LL PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS17NH3LL - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS17NH3LL.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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STMicroelectronics
32D-STS17NH3LL

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