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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS4NF100
STS4NF100 Image
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STS4NF100 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS4NF100
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS4NF100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS4NF100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4340

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Anzahl

Spezifikation

STS4NF100 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS4NF100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS4NF100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STS4N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS4NF100.

Produkteigenschaften STS4NF100 STS4DNFS30 STS4DPFS30L STS5P3LLH6
Artikelnummer STS4NF100 STS4DNFS30 STS4DPFS30L STS5P3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 639 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2.5A, 10V 56mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
FET-Merkmal - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 4.7 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 6 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 4.5A (Tc) 5A (Tc) 5A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ II STripFET™ STripFET™ DeepGATE™, STripFET™ H6
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2W (Tc) 2.5W (Tc) 2.7W (Ta)
Grundproduktnummer STS4N STS4D STS4D STS5P3

STS4NF100 Datenblatt PDF

Laden Sie STS4NF100 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS4NF100 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STS4NF100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STS4NF100

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