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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTS5DNF60L
STS5DNF60L Image
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STS5DNF60L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS5DNF60L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS5DNF60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS5DNF60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56740

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Spezifikation

STS5DNF60L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS5DNF60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS5DNF60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STS5DNF60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS5DNF60L.

Produkteigenschaften STS5DNF60L STS4DPF30L STS5DNF20V STS4DPF20L
Artikelnummer STS5DNF60L STS4DPF30L STS5DNF20V STS4DPF20L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II STripFET™ STripFET™ II STripFET™
Grundproduktnummer STS5DNF60 STS4D STS5D STS4D
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A 4A 5A 4A
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 2A, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 40mOhm @ 2.5A, 4.5V 80mOhm @ 2A, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 600mV @ 250µA 2.5V @ 250µA
Leistung - max 2W 2W 2W 1.6W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V 1350pF @ 25V 460pF @ 25V 1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 16nC @ 5V 11.5nC @ 4.5V 16nC @ 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30V 20V 20V

STS5DNF60L Datenblatt PDF

Laden Sie STS5DNF60L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS5DNF60L - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Datenblätter
STS5DNF60L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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