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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS5NF60L
STS5NF60L Image
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STS5NF60L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS5NF60L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS5NF60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS5NF60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67780

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Anzahl

Spezifikation

STS5NF60L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS5NF60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS5NF60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer STS5NF60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS5NF60L.

Produkteigenschaften STS5NF60L STS5PF30L STS5P3LLH6 STS5PF20V
Artikelnummer STS5NF60L STS5PF30L STS5P3LLH6 STS5PF20V
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie STripFET™ STripFET™ DeepGATE™, STripFET™ H6 STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V 55mOhm @ 2.5A, 10V 56mOhm @ 2.5A, 10V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 2.5 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 5A (Ta) 5A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 639 pF @ 25 V 412 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.7W (Ta) 2.5W (Tc)
Grundproduktnummer STS5NF60 STS5P STS5P3 STS5P
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 30 V 20 V
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±8V

STS5NF60L Datenblatt PDF

Laden Sie STS5NF60L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS5NF60L - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Power MOSFET 14/Dec/2016.pdf
Datenblätter
STS5NF60L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS5NF60L

STMicroelectronics
32D-STS5NF60L

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