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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU4N62K3
STU4N62K3 Image
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STU4N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU4N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU4N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STx(I)4N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 66280

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Spezifikation

STU4N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU4N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU4N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc)  
Grundproduktnummer STU4N62  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU4N62K3.

Produkteigenschaften STU4N62K3 STU5N52K3 STU4N80K5 STU5N65M6
Artikelnummer STU4N62K3 STU5N52K3 STU4N80K5 STU5N65M6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Grundproduktnummer STU4N62 STU5N STU4N80 STU5N65
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 3.75V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) 4.4A (Tc) 3A (Tc) 4A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 525 V 800 V 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.9A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 50 V 545 pF @ 100 V 175 pF @ 100 V 170 pF @ 100 V
Serie SuperMESH3™ SuperMESH3™ SuperMESH5™ MDmesh™ M6
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)

STU4N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STU4N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU4N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx(I)4N62K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STU4N62K3

STMicroelectronics
32D-STU4N62K3

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