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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU5N65M6
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STU5N65M6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU5N65M6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU5N65M6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STU5N65M6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 75730

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Anzahl

Spezifikation

STU5N65M6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU5N65M6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU5N65M6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie MDmesh™ M6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STU5N65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU5N65M6.

Produkteigenschaften STU5N65M6 STU5N60M2 STU5NK50Z STU5N95K5
Artikelnummer STU5N65M6 STU5N60M2 STU5NK50Z STU5N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA 4V @ 250µA - 5V @ 100µA
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA - TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Serie MDmesh™ M6 MDmesh™ II Plus * MDmesh™ K5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 100 V 165 pF @ 100 V - 220 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) - 70W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 1.85A, 10V - 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Grundproduktnummer STU5N65 STU5N60 STU5N STU5N95
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V - 950 V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 3.7A (Tc) - 3.5A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) I-PAK - TO-251 (IPAK)
Vgs (Max) ±25V ±25V - ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V 4.5 nC @ 10 V - 12.5 nC @ 10 V

STU5N65M6 Datenblatt PDF

Laden Sie STU5N65M6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU5N65M6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Change 03-May-2022.pdf
Datenblätter
STU5N65M6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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