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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW10N95K5
STW10N95K5 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW10N95K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW10N95K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW10N95K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 8A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
ST(B,F,P,W)10N95K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15713

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Spezifikation

STW10N95K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW10N95K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW10N95K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STW10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW10N95K5.

Produkteigenschaften STW10N95K5 STW10NK80Z STW11NB80 STW11NK100Z
Artikelnummer STW10N95K5 STW10NK80Z STW11NB80 STW11NK100Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V 2180 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 9A (Tc) 11A (Tc) 8.3A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 800 V 800 V 1000 V
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 160W (Tc) 190W (Tc) 230W (Tc)
Grundproduktnummer STW10 STW10 STW11N STW11
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V 900mOhm @ 4.5A, 10V 800mOhm @ 5.5A, 10V 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie SuperMESH5™ SuperMESH™ PowerMESH™ SuperMESH™
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

STW10N95K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW10N95K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW10N95K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Datenblätter
ST(B,F,P,W)10N95K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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