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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW10NK60Z
STW10NK60Z Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW10NK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW10NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW10NK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx10NK60Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19470

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Anzahl

Spezifikation

STW10NK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW10NK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW10NK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer STW10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW10NK60Z.

Produkteigenschaften STW10NK60Z STW12N150K5 STW120NF10 STW11NM80
Artikelnummer STW10NK60Z STW12N150K5 STW120NF10 STW11NM80
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STW10 STW12 STW120 STW11
Serie SuperMESH™ MDmesh™ K5 STripFET™ II MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V 10.5mOhm @ 60A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V 1360 pF @ 100 V 5200 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V 43.6 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 7A (Tc) 110A (Tc) 11A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 1500 V 100 V 800 V
Verlustleistung (max) 156W (Tc) 250W (Tc) 312W (Tc) 150W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V

STW10NK60Z Datenblatt PDF

Laden Sie STW10NK60Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW10NK60Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Datenblätter
STx10NK60Z.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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