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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW20NM60FD
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW20NM60FD - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW20NM60FD
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW20NM60FD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx20NM60D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9303

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Anzahl

Spezifikation

STW20NM60FD Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW20NM60FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW20NM60FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie FDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 214W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer STW20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW20NM60FD.

Produkteigenschaften STW20NM60FD STW20NK70Z STW20NK50Z STW21NM60ND
Artikelnummer STW20NM60FD STW20NK70Z STW20NK50Z STW21NM60ND
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer STW20 STW20N STW20 STW21
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 214W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc) 140W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V 285mOhm @ 10A, 10V 270mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 700 V 500 V 600 V
Serie FDmesh™ SuperMESH™ SuperMESH™ FDmesh™ II
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)

STW20NM60FD Datenblatt PDF

Laden Sie STW20NM60FD PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW20NM60FD - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Datenblätter
STx20NM60D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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