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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW21N90K5
STW21N90K5 Image
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STW21N90K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW21N90K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW21N90K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx21N90K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7571

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Anzahl

Spezifikation

STW21N90K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW21N90K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW21N90K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STW21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW21N90K5.

Produkteigenschaften STW21N90K5 STW21N65M5 STW21NM60ND STW20NM60
Artikelnummer STW21N90K5 STW21N65M5 STW21NM60ND STW20NM60
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 100 V 1950 pF @ 100 V 1800 pF @ 50 V 1500 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 650 V 600 V 600 V
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ V FDmesh™ II MDmesh™
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.5A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 20A (Tc)
Grundproduktnummer STW21 STW21N STW21 STW20

STW21N90K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW21N90K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW21N90K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx21N90K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW21N90K5

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32D-STW21N90K5

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