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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW21N65M5
STW21N65M5 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW21N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW21N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW21N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx21N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10656

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Spezifikation

STW21N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW21N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW21N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer STW21N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW21N65M5.

Produkteigenschaften STW21N65M5 STW21NM60ND STW20NM50 STW20NM60FD
Artikelnummer STW21N65M5 STW21NM60ND STW20NM50 STW20NM60FD
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer STW21N STW21 STW20N STW20
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 140W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 550 V 600 V
Serie MDmesh™ V FDmesh™ II MDmesh™ FDmesh™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V 1800 pF @ 50 V 1480 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±30V

STW21N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW21N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW21N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STx21N65M5.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STW21N65M5

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