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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW40N95K5
STW40N95K5 Image
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STW40N95K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW40N95K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW40N95K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW40N95K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3084

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Anzahl

Spezifikation

STW40N95K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW40N95K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW40N95K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer STW40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW40N95K5.

Produkteigenschaften STW40N95K5 STW43NM60N STW43N60DM2 STW42N65M5
Artikelnummer STW40N95K5 STW43NM60N STW43N60DM2 STW42N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 100 V 4200 pF @ 50 V 2500 pF @ 100 V 4650 pF @ 100 V
Serie MDmesh™ K5 MDmesh™ II MDmesh™ DM2 MDmesh™ V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 600 V 600 V 650 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STW40 STW43N STW43 STW42
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 35A (Tc) 34A (Tc) 33A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 255W (Tc) 250W (Tc) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V 88mOhm @ 17.5A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

STW40N95K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW40N95K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW40N95K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STW40N95K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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