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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW43N60DM2
STW43N60DM2 Image
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STW43N60DM2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW43N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW43N60DM2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 34A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW43N60DM2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10055

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Anzahl

Spezifikation

STW43N60DM2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW43N60DM2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW43N60DM2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer STW43  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW43N60DM2.

Produkteigenschaften STW43N60DM2 STW42N65M5 STW45N60DM2AG STW45N60DM6
Artikelnummer STW43N60DM2 STW42N65M5 STW45N60DM2AG STW45N60DM6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 17A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V
Grundproduktnummer STW43 STW42 STW45 STW45
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V 4650 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V 1920 pF @ 100 V
Serie MDmesh™ DM2 MDmesh™ V Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MDmesh™ DM6
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 190W (Tc) 250W (Tc) 210W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 33A (Tc) 34A (Tc) 30A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

STW43N60DM2 Datenblatt PDF

Laden Sie STW43N60DM2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW43N60DM2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer 15/Feb/2019.pdf
Datenblätter
STW43N60DM2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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STW43N60DM2

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32D-STW43N60DM2

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