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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW43NM60N
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW43NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW43NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW43NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW43NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4890

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Anzahl

Spezifikation

STW43NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW43NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW43NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 17.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 255W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer STW43N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW43NM60N.

Produkteigenschaften STW43NM60N STW40N95DK5 STW43NM60ND STW45N60DM2AG
Artikelnummer STW43NM60N STW40N95DK5 STW43NM60ND STW45N60DM2AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 50 V 3480 pF @ 100 V 4300 pF @ 50 V 2500 pF @ 100 V
Grundproduktnummer STW43N STW40 STW43N STW45
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 950 V 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie MDmesh™ II MDmesh™ DK5 FDmesh™ Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 255W (Tc) 450W (Tc) 255W (Tc) 250W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 38A (Tc) 35A (Tc) 34A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 17.5A, 10V 130mOhm @ 19A, 10V 88mOhm @ 17.5A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

STW43NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STW43NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW43NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Datenblätter
STW43NM60N.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet OBS 21/Dec/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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