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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelXP202A0003MR-G
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XP202A0003MR-G - Torex Semiconductor Ltd

Hersteller Artikelnummer
XP202A0003MR-G
Hersteller
Torex Semiconductor Ltd.
Allelco Artikelnummer
32D-XP202A0003MR-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
XP202A0003MR-G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 84210

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Spezifikation

XP202A0003MR-G Tech -Spezifikationen
Torex Semiconductor Ltd - XP202A0003MR-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Torex Semiconductor Ltd - XP202A0003MR-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Torex Semiconductor Ltd.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tj)  
Grundproduktnummer XP202A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Torex Semiconductor Ltd XP202A0003MR-G.

Produkteigenschaften XP202A0003MR-G IXFH18N60P IRFH5302TR2PBF DMN3029LFG-13
Artikelnummer XP202A0003MR-G IXFH18N60P IRFH5302TR2PBF DMN3029LFG-13
Hersteller Torex Semiconductor Ltd IXYS Infineon Technologies Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 600 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer XP202A IXFH18 - DMN3029
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 TO-247AD (IXFH) PQFN (5x6) Single Die POWERDI3333-8
Verlustleistung (max) 1W 360W (Tc) - 1W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tj) 18A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 5.3A (Ta)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V - ±25V
Serie - HiPerFET™, Polar - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 1.5A, 10V 400mOhm @ 500mA, 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V 18.6mOhm @ 10A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA 5.5V @ 2.5mA 2.35V @ 100µA 1.8V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V - 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435 pF @ 10 V 2500 pF @ 25 V 4400 pF @ 15 V 580 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-247-3 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

XP202A0003MR-G Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
Torex Semiconductor LTD REACH REACH.pdf Torex Semiconductor LTD RoHS Cert.pdf
Datenblätter
XP202A0003MR-G.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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