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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9510STRLPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF9510STRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF9510STRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9510STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF9510S, SiHF9510S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26894

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Spezifikation

IRF9510STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF9510STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF9510STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9510  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF9510STRLPBF.

Produkteigenschaften IRF9510STRLPBF IRF9510 IRF9510STRR IRF9520
Artikelnummer IRF9510STRLPBF IRF9510 IRF9510STRR IRF9520
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRF9510 IRF9510 IRF9510 IRF9520
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3

IRF9510STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9510STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF9510STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRF9510S, SiHF9510S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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