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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP22N60KPBF
IRFP22N60KPBF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFP22N60KPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP22N60KPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP22N60KPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP22N60KPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9738

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Anzahl

Spezifikation

IRFP22N60KPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP22N60KPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP22N60KPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 370W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP22N60KPBF.

Produkteigenschaften IRFP22N60KPBF IRFP22N60K IRFP240 IRFP17N50L
Artikelnummer IRFP22N60KPBF IRFP22N60K IRFP240 IRFP17N50L
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 13A, 10V 280mOhm @ 13A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V 320mOhm @ 9.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 370W (Tc) 370W (Tc) 150W (Tc) 220W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 22A (Tc) 20A (Tc) 16A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRFP22 IRFP22 IRFP240 IRFP17
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3570 pF @ 25 V 3570 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 2760 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 200 V 500 V

IRFP22N60KPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP22N60KPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP22N60KPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
PCN -Verpackung
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP22N60KPBF

Vishay Siliconix
32D-IRFP22N60KPBF

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