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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP23N50L
IRFP23N50L Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFP23N50L - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP23N50L
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP23N50L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP23N50L.pdf
vorrätig: 3600

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Spezifikation

IRFP23N50L Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP23N50L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP23N50L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 370W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP23  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP23N50L.

Produkteigenschaften IRFP23N50L IRFP21N60L IRFP22N60KPBF IRFP244
Artikelnummer IRFP23N50L IRFP21N60L IRFP22N60KPBF IRFP244
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 250 V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 3570 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 370W (Tc) 330W (Tc) 370W (Tc) 150W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 21A (Tc) 22A (Tc) 15A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRFP23 IRFP21 IRFP22 IRFP244
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 14A, 10V 320mOhm @ 13A, 10V 280mOhm @ 13A, 10V 280mOhm @ 9A, 10V

IRFP23N50L Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP23N50L PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP23N50L - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP23N50L

Vishay Siliconix
32D-IRFP23N50L

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