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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP244PBF
IRFP244PBF Image
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IRFP244PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP244PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP244PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP244PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15830

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Anzahl

Spezifikation

IRFP244PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP244PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP244PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP244  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP244PBF.

Produkteigenschaften IRFP244PBF IRFP245 IRFP23N50LPBF IRFP250MPBF
Artikelnummer IRFP244PBF IRFP245 IRFP23N50LPBF IRFP250MPBF
Hersteller Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2159 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Serie - - - HEXFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 9A, 10V 340mOhm @ 10A, 10V 235mOhm @ 14A, 10V 75mOhm @ 18A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Grundproduktnummer IRFP244 - IRFP23 IRFP250
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 14A (Tc) 23A (Tc) 30A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247 TO-247AC TO-247AC
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 500 V 200 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 370W (Tc) 214W (Tc)

IRFP244PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP244PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP244PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
PCN -Verpackung
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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IRFP244PBF

Vishay Siliconix
32D-IRFP244PBF

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