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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP460LC
IRFP460LC Image
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IRFP460LC - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP460LC
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP460LC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP460LC, SiHFP460LC.pdf
vorrätig: 3640

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Spezifikation

IRFP460LC Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP460LC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP460LC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 280W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP460  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP460LC.

Produkteigenschaften IRFP460LC IRFP460BPBF IRFP460 IRFP460C
Artikelnummer IRFP460LC IRFP460BPBF IRFP460 IRFP460C
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3094 pF @ 100 V 4200 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 240mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 280W (Tc) 278W (Tc) 280W (Tc) 235W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFP460 IRFP460 IRFP460 IRFP4
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-3P
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRFP460LC Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP460LC PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP460LC - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFP460LC, SiHFP460LC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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