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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLD014PBF
IRLD014PBF Image
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IRLD014PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLD014PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLD014PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRLD014.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58930

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Anzahl

Spezifikation

IRLD014PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLD014PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLD014PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)  
Grundproduktnummer IRLD014  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLD014PBF.

Produkteigenschaften IRLD014PBF IRLD024PBF IRLD120 IRLH5034TR2PBF
Artikelnummer IRLD014PBF IRLD024PBF IRLD120 IRLH5034TR2PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 40 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V -
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 82 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta) 2.5A (Ta) 1.3A (Ta) 29A (Ta), 100A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Paket Tube Tube Tube Cut Tape (CT)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 5V 100mOhm @ 1.5A, 5V 270mOhm @ 780mA, 5V 2.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 8-PQFN (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA
Grundproduktnummer IRLD014 IRLD024 IRLD120 -
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 8-PowerVDFN

IRLD014PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLD014PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLD014PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Datenblätter
IRLD014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IRLD014PBF

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