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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI540G
IRLI540G Image
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IRLI540G - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLI540G
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI540G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRLI540G, SiHLI540G.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4910

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Spezifikation

IRLI540G Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLI540G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLI540G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 5V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLI540  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLI540G.

Produkteigenschaften IRLI540G IRLI520N IRLI530G IRLI540N
Artikelnummer IRLI540G IRLI520N IRLI530G IRLI540N
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 5V 180mOhm @ 6A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V 44mOhm @ 12A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 30W (Tc) 42W (Tc) 54W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 8.1A (Tc) 9.7A (Tc) 23A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRLI540 - IRLI530 -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 PG-TO220-FP TO-220-3 PG-TO220-FP
FET-Merkmal - - - -

IRLI540G Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI540G PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLI540G - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLI540G, SiHLI540G.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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