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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI530NPBF
IRLI530NPBF Image
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IRLI530NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI530NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI530NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI530NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4500

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Anzahl

Spezifikation

IRLI530NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI530NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI530NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI530NPBF.

Produkteigenschaften IRLI530NPBF IRLI540N IRLI530N IRLI530G
Artikelnummer IRLI530NPBF IRLI540N IRLI530N IRLI530G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP PG-TO220-FP TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Verlustleistung (max) 41W (Tc) 54W (Tc) 41W (Tc) 42W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 23A (Tc) 12A (Tc) 9.7A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

IRLI530NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI530NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI530NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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