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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI540GPBF
IRLI540GPBF Image
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IRLI540GPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLI540GPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI540GPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRLI540G, SiHLI540G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 33780

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Anzahl

Spezifikation

IRLI540GPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLI540GPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLI540GPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 5V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLI540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLI540GPBF.

Produkteigenschaften IRLI540GPBF IRLIB9343 IRLI540N IRLI530G
Artikelnummer IRLI540GPBF IRLIB9343 IRLI540N IRLI530G
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 47 nC @ 10 V 74 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 660 pF @ 50 V 1800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP TO-220-3
Vgs (Max) ±10V ±20V ±16V ±10V
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 5V 105mOhm @ 3.4A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 14A (Tc) 23A (Tc) 9.7A (Tc)
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRLI540 - - IRLI530
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 33W (Tc) 54W (Tc) 42W (Tc)

IRLI540GPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI540GPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLI540GPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Advisory 20/Mar/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Datenblätter
IRLI540G, SiHLI540G.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRLI540GPBF

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