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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI5944DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI5944DU-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI5944DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI5944DU-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Datenblatt
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4280

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Anzahl

Spezifikation

SI5944DU-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI5944DU-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI5944DU-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® ChipFet Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V  
Leistung - max 10W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® ChipFET™ Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI5944  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI5944DU-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI5944DU-T1-GE3 SI5997DU-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3
Artikelnummer SI5944DU-T1-GE3 SI5997DU-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 6A 6A 6A
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 10W 10.4W 10.4W 10.4W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 30V 20V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Grundproduktnummer SI5944 SI5997 SI5947 SI5936
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V 430pF @ 15V 480pF @ 10V 320pF @ 15V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V 54mOhm @ 3A, 10V 58mOhm @ 3.6A, 4.5V 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V 14.5nC @ 10V 17nC @ 10V 11nC @ 10V

SI5944DU-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI5944DU-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI5944DU-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mosfet EOL 24/Jun/2015.pdf
Datenblätter
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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