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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI5948DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI5948DU-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI5948DU-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI5948DU-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® ChipFet Dual
Datenblatt
SI5948DU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 112190

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Anzahl

Spezifikation

SI5948DU-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI5948DU-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI5948DU-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® ChipFet Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 5A, 10V  
Leistung - max 7W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® ChipFet Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI5948  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI5948DU-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI5948DU-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 SI5933DC-T1-E3 SI5944DU-T1-E3
Artikelnummer SI5948DU-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 SI5933DC-T1-E3 SI5944DU-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 7W 3.1W 1.1W 10W
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Grundproduktnummer SI5948 SI5935 SI5933 SI5944
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 4A 2.7A 6A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 20V 455pF @ 10V - 210pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V 11nC @ 5V 7.7nC @ 4.5V 6.6nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® ChipFet Dual 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 5A, 10V 100mOhm @ 3.1A, 4.5V 110mOhm @ 2.7A, 4.5V 112mOhm @ 3.3A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 20V 20V 40V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® ChipFet Dual 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual

SI5948DU-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI5948DU-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI5948DU-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SI5948DU.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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