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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI5975DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI5975DC-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI5975DC-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
SI5975DC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5140

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Anzahl

Spezifikation

SI5975DC-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI5975DC-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI5975DC-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 3.1A, 4.5V  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI5975  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI5975DC-T1-E3.

Produkteigenschaften SI5975DC-T1-E3 SI5935DC-T1-E3 SI5997DU-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3
Artikelnummer SI5975DC-T1-E3 SI5935DC-T1-E3 SI5997DU-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer SI5975 SI5935 SI5997 SI5935
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SMD, Flat Lead
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - 430pF @ 15V 455pF @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min) 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 20V 30V 20V
Supplier Device-Gehäuse 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual 1206-8 ChipFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 3.1A, 4.5V 86mOhm @ 3A, 4.5V 54mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A 3A 6A 4A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V 8.5nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V 11nC @ 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.1W 1.1W 10.4W 3.1W
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI5975DC-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI5975DC-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI5975DC-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI5975DC.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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