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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSQJ951EP-T1_BE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQJ951EP-T1_BE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQJ951EP-T1_BE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQJ951EP-T1_BE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SQJ951EP-T1_BE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58990

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Anzahl

Spezifikation

SQJ951EP-T1_BE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_BE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V  
Leistung - max 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SQJ951  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_BE3.

Produkteigenschaften SQJ951EP-T1_BE3 SQJ952EP-T1_GE3 SQJ940EP-T1_GE3 SQJ912AEP-T1_GE3
Artikelnummer SQJ951EP-T1_BE3 SQJ952EP-T1_GE3 SQJ940EP-T1_GE3 SQJ912AEP-T1_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 40V 40V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V 30nC @ 10V 20nC @ 20V 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V 20mOhm @ 10.3A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 56W (Tc) 25W (Tc) 48W, 43W 48W
Grundproduktnummer SQJ951 SQJ952 SQJ940 SQJ912
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric PowerPAK® SO-8 Dual
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 23A (Tc) 15A (Ta), 18A (Tc) 30A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 10V 1800pF @ 30V 896pF @ 20V 1835pF @ 20V

SQJ951EP-T1_BE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQJ951EP-T1_BE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQJ951EP-T1_BE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Process Change 11/Apr/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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