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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSQJ962EP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQJ962EP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQJ962EP-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQJ962EP-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SQJ962EP-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3690

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Anzahl

Spezifikation

SQJ962EP-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQJ962EP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQJ962EP-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 10V  
Leistung - max 25W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SQJ962  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQJ962EP-T1-GE3.

Produkteigenschaften SQJ962EP-T1-GE3 SQJ968EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3
Artikelnummer SQJ962EP-T1-GE3 SQJ968EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 23.5A (Tc) 30A 23A (Tc)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TA) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 18.5nC @ 10V 50nC @ 10V 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 10V 33.6mOhm @ 4.8A, 10V 17mOhm @ 7.5A, 10V 20mOhm @ 10.3A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 30V 60V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 25V 714pF @ 30V 1680pF @ 10V 1800pF @ 30V
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Grundproduktnummer SQJ962 SQJ968 SQJ951 SQJ952
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 25W 42W (Tc) 56W 25W (Tc)

SQJ962EP-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQJ962EP-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQJ962EP-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQJ962EP-T1-GE3.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-053-2014-Rev-1 22/Sep/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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