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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSQJ951EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQJ951EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQJ951EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQJ951EP-T1_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SQJ951EP-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38310

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Anzahl

Spezifikation

SQJ951EP-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V  
Leistung - max 56W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SQJ951  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_GE3.

Produkteigenschaften SQJ951EP-T1_GE3 SQJ962EP-T1-GE3 SQJ952EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_BE3
Artikelnummer SQJ951EP-T1_GE3 SQJ962EP-T1-GE3 SQJ952EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_BE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 10V 475pF @ 25V 1800pF @ 30V 1680pF @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 60V 30V
Leistung - max 56W 25W 25W (Tc) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7.5A, 10V 60mOhm @ 4.3A, 10V 20mOhm @ 10.3A, 10V 17mOhm @ 7.5A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A 8A 23A (Tc) 30A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V 14nC @ 10V 30nC @ 10V 50nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Grundproduktnummer SQJ951 SQJ962 SQJ952 SQJ951
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

SQJ951EP-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQJ951EP-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQJ951EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Teilenummer
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Process Change 11/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SQJ951EP-T1-GE3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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