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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVQ1006P
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VQ1006P - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
VQ1006P
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-VQ1006P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
-
Datenblatt
VN0808L/LS,VQ1006P.pdf
vorrätig: 4830

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Spezifikation

VQ1006P Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - VQ1006P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - VQ1006P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse -  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA  
Konfiguration 4 N-Channel  
Grundproduktnummer VQ1006  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix VQ1006P.

Produkteigenschaften VQ1006P VQ1001P-2 SI4542DY FDC6333C
Artikelnummer VQ1006P VQ1001P-2 SI4542DY FDC6333C
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi onsemi
Serie - - PowerTrench® PowerTrench®
Leistung - max 2W 2W 1W 700mW
Verpackung / Gehäuse - - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP 14-DIP 8-SOIC SuperSOT™-6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - 13nC @ 5V 6.6nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V 1.75Ohm @ 200mA, 5V 28mOhm @ 6A, 10V 95mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA 830mA 6A 2.5A, 2A
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90V 30V 30V 30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V 110pF @ 15V 830pF @ 15V 282pF @ 15V
Grundproduktnummer VQ1006 VQ1001 SI4542 FDC6333
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Konfiguration 4 N-Channel 4 N-Channel N and P-Channel N and P-Channel

VQ1006P Datenblatt PDF

Laden Sie VQ1006P PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für VQ1006P - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Datenblätter
VN0808L/LS,VQ1006P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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