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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVQ1001P-2
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VQ1001P-2 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
VQ1001P-2
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-VQ1001P-2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
-
Datenblatt
VQ1001J/P.pdf
vorrätig: 4070

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Spezifikation

VQ1001P-2 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - VQ1001P-2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - VQ1001P-2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse -  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 830mA  
Konfiguration 4 N-Channel  
Grundproduktnummer VQ1001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix VQ1001P-2.

Produkteigenschaften VQ1001P-2 AO4807 DMP2200UDW-7 DMN2016LHAB-7
Artikelnummer VQ1001P-2 AO4807 DMP2200UDW-7 DMN2016LHAB-7
Hersteller Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc. Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V 760pF @ 15V 184pF @ 10V 1550pF @ 10V
Serie - - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 2W 2W 450mW 1.2W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 20V 20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-UDFN Exposed Pad
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 16nC @ 10V 2.1nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 830mA 6A 900mA 7.5A
Konfiguration 4 N-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V 35mOhm @ 6A, 10V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP 8-SOIC SOT-363 U-DFN2030-6 (Type B)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer VQ1001 AO480 DMP2200 DMN2016
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

VQ1001P-2 Datenblatt PDF

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Datenblätter
VQ1001J/P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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