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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelC2M0160120D
Wolfspeed, Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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C2M0160120D - Wolfspeed, Inc.

Hersteller Artikelnummer
C2M0160120D
Hersteller
Wolfspeed
Allelco Artikelnummer
32D-C2M0160120D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
C2M0160120D.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5122

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Spezifikation

C2M0160120D Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C2M0160120D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C2M0160120D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Wolfspeed  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA  
Vgs (Max) +25V, -10V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie Z-FET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 527 pF @ 800 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer C2M0160120  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C2M0160120D.

Produkteigenschaften C2M0160120D SPD04N60C2 SI4890BDY-T1-E3 MTP2P50EG
Artikelnummer C2M0160120D SPD04N60C2 SI4890BDY-T1-E3 MTP2P50EG
Hersteller Wolfspeed, Inc. Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA 5.5V @ 200µA 2.6V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 4.5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer C2M0160120 - SI4890 MTP2P
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 75W (Tc)
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 20 V 22.9 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V 950mOhm @ 2.8A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 6Ohm @ 1A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 600 V 30 V 500 V
Vgs (Max) +25V, -10V ±20V ±25V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 527 pF @ 800 V 580 pF @ 25 V 1535 pF @ 15 V 1183 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 PG-TO252-3-1 8-SOIC TO-220
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 4.5A (Tc) 16A (Tc) 2A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Serie Z-FET™ CoolMOS™ TrenchFET® -

C2M0160120D Datenblatt PDF

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PCN -Verpackung
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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