C2M0160120D Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C2M0160120D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C2M0160120D

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Wolfspeed
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3
Serie	Z-FET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	196mOhm @ 10A, 20V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	527 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32.6 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)
Grundproduktnummer	C2M0160120

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C2M0160120D.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	C2M0160120D	SPD04N60C2	SI4890BDY-T1-E3	MTP2P50EG
Hersteller	Wolfspeed, Inc.	Infineon Technologies	Vishay Siliconix	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA	5.5V @ 200µA	2.6V @ 250µA	4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V	10V	4.5V, 10V	10V
FET-Merkmal	-	-	-	-
Grundproduktnummer	C2M0160120	-	SI4890	MTP2P
Paket	Tube	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tube
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	50W (Tc)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)	75W (Tc)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32.6 nC @ 20 V	22.9 nC @ 10 V	33 nC @ 10 V	27 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	196mOhm @ 10A, 20V	950mOhm @ 2.8A, 10V	12mOhm @ 10A, 10V	6Ohm @ 1A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V	600 V	30 V	500 V
Vgs (Max)	+25V, -10V	±20V	±25V	±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	527 pF @ 800 V	580 pF @ 25 V	1535 pF @ 15 V	1183 pF @ 25 V
Befestigungsart	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3	PG-TO252-3-1	8-SOIC	TO-220
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)	4.5A (Tc)	16A (Tc)	2A (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-220-3
Serie	Z-FET™	CoolMOS™	TrenchFET®	-

C2M0160120D Datenblatt PDF

Laden Sie C2M0160120D PDF -Datenblätter und Wolfspeed, Inc. -Dokumentation für C2M0160120D - Wolfspeed, Inc. herunter.

PCN -Verpackung: Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter: C2M0160120D.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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