C2M0040120D Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C2M0040120D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C2M0040120D

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Wolfspeed
VGS (th) (Max) @ Id	2.8V @ 10mA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3
Serie	Z-FET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 40A, 20V
Verlustleistung (max)	330W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1893 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Grundproduktnummer	C2M0040120

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C2M0040120D.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	C2M0040120D	STU7LN80K5	C2M0160120D	NTD5807NT4G
Hersteller	Wolfspeed, Inc.	STMicroelectronics	Wolfspeed, Inc.	onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 40A, 20V	1.15Ohm @ 2.5A, 10V	196mOhm @ 10A, 20V	31mOhm @ 5A, 10V
Grundproduktnummer	C2M0040120	STU7LN80	C2M0160120	NTD58
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	TO-247-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal	-	-	-	-
Vgs (Max)	+25V, -10V	±30V	+25V, -10V	±20V
Serie	Z-FET™	MDmesh™	Z-FET™	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1893 pF @ 1000 V	270 pF @ 100 V	527 pF @ 800 V	603 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3	TO-251 (IPAK)	TO-247-3	DPAK
Verlustleistung (max)	330W (Tc)	85W (Tc)	125W (Tc)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)	5A (Tc)	19A (Tc)	23A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V	800 V	1200 V	40 V
Paket	Tube	Tube	Tube	Tape & Reel (TR)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id	2.8V @ 10mA	5V @ 100µA	2.5V @ 500µA	2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V	10V	20V	4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 20 V	12 nC @ 10 V	32.6 nC @ 20 V	20 nC @ 10 V
Befestigungsart	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Surface Mount

C2M0040120D Datenblatt PDF

Laden Sie C2M0040120D PDF -Datenblätter und Wolfspeed, Inc. -Dokumentation für C2M0040120D - Wolfspeed, Inc. herunter.

PCN -Verpackung: Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter: C2M0040120D.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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