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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEFC4C002NLTDG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EFC4C002NLTDG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EFC4C002NLTDG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EFC4C002NLTDG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8WLCSP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-XFBGA, WLCSP
Datenblatt
EFC4C002NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12035

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Anzahl

Spezifikation

EFC4C002NLTDG Tech -Spezifikationen
onsemi - EFC4C002NLTDG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EFC4C002NLTDG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WLCSP (6x2.5)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 2.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-XFBGA, WLCSP  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer EFC4C002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EFC4C002NLTDG.

Produkteigenschaften EFC4C002NLTDG EFC6605R-TR EFC4619R-TR EFC4C002NLTDG
Artikelnummer EFC4C002NLTDG EFC6605R-TR EFC4619R-TR EFC4C002NLTDG
Hersteller onsemi onsemi onsemi Texas Instruments
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V 19.8nC @ 4.5V 21.7nC @ 4.5V 45nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-XFBGA, WLCSP 6-SMD, No Lead 4-XFBGA, FCBGA 8-XFBGA, WLCSP
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Grundproduktnummer EFC4C002 EFC6605 EFC4619 EFC4C002
Supplier Device-Gehäuse 8-WLCSP (6x2.5) 6-EFCP (1.9x1.46) EFCP1616-4CE-022 8-WLCSP (6x2.5)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Leistung - max 2.6W 1.6W 1.6W 2.6W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V - - 6200pF @ 15V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA - - 2.2V @ 1mA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -

EFC4C002NLTDG Datenblatt PDF

Laden Sie EFC4C002NLTDG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EFC4C002NLTDG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf
Datenblätter
EFC4C002NL.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Cancellation 11/Oct/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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