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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEFC6601R-TR
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EFC6601R-TR - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EFC6601R-TR
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EFC6601R-TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH EFCP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-XFBGA, FCBGA
Datenblatt
EFC6601R-TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 116690

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Anzahl

Spezifikation

EFC6601R-TR Tech -Spezifikationen
onsemi - EFC6601R-TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EFC6601R-TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EFCP2718-6CE-020  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA, FCBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer EFC6601  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EFC6601R-TR.

Produkteigenschaften EFC6601R-TR EFC6602R-A-TR EFC6605R-TR EFC4630R-TR
Artikelnummer EFC6601R-TR EFC6602R-A-TR EFC6605R-TR EFC4630R-TR
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V 55nC @ 4.5V 19.8nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - 45mOhm @ 3A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - 6A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - 24V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer EFC6601 EFC6602 EFC6605 EFC4630
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id - - - 1.3V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA, FCBGA 6-XFBGA, FCBGA 6-SMD, No Lead 4-XFBGA
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse EFCP2718-6CE-020 EFCP2718-6CE-020 6-EFCP (1.9x1.46) EFCP1313-4CC-037
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Leistung - max 2W 2W 1.6W 1.6W

EFC6601R-TR Datenblatt PDF

Laden Sie EFC6601R-TR PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EFC6601R-TR - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
EFC88/EFC66 18/Oct/2016.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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