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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEFC6602R-A-TR
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EFC6602R-A-TR - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EFC6602R-A-TR
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EFC6602R-A-TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH EFCP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-XFBGA, FCBGA
Datenblatt
EFC6602R-A-TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5290

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Anzahl

Spezifikation

EFC6602R-A-TR Tech -Spezifikationen
onsemi - EFC6602R-A-TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EFC6602R-A-TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EFCP2718-6CE-020  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA, FCBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer EFC6602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EFC6602R-A-TR.

Produkteigenschaften EFC6602R-A-TR EFC6605R-TR EFC6602R-TR EFC6601R-TR
Artikelnummer EFC6602R-A-TR EFC6605R-TR EFC6602R-TR EFC6601R-TR
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V 19.8nC @ 4.5V 55nC @ 4.5V 48nC @ 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Leistung - max 2W 1.6W 2W 2W
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Grundproduktnummer EFC6602 EFC6605 EFC6602 EFC6601
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Supplier Device-Gehäuse EFCP2718-6CE-020 6-EFCP (1.9x1.46) EFCP2718-6CE-020 EFCP2718-6CE-020
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA, FCBGA 6-SMD, No Lead 6-XFBGA, FCBGA 6-XFBGA, FCBGA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive
Serie - - - -

EFC6602R-A-TR Datenblatt PDF

Laden Sie EFC6602R-A-TR PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EFC6602R-A-TR - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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