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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEFC6604R-TR
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

EFC6604R-TR - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EFC6604R-TR
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EFC6604R-TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 6EFCP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-XFBGA
Datenblatt
EFC6604R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

EFC6604R-TR Tech -Spezifikationen
onsemi - EFC6604R-TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EFC6604R-TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-EFCP (1.9x1.46)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer EFC6604  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EFC6604R-TR.

Produkteigenschaften EFC6604R-TR EFC4C002NLTDG EFC6601R-TR EFC4630R-TR
Artikelnummer EFC6604R-TR EFC4C002NLTDG EFC6601R-TR EFC4630R-TR
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 6200pF @ 15V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - 45mOhm @ 3A, 4.5V
Leistung - max 1.6W 2.6W 2W 1.6W
Serie - - - -
Grundproduktnummer EFC6604 EFC4C002 EFC6601 EFC4630
VGS (th) (Max) @ Id - 2.2V @ 1mA - 1.3V @ 1mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 45nC @ 4.5V 48nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 6-XFBGA 8-XFBGA, WLCSP 6-XFBGA, FCBGA 4-XFBGA
Supplier Device-Gehäuse 6-EFCP (1.9x1.46) 8-WLCSP (6x2.5) EFCP2718-6CE-020 EFCP1313-4CC-037
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - 6A (Ta)

EFC6604R-TR Datenblatt PDF

Laden Sie EFC6604R-TR PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EFC6604R-TR - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Jul/2021.pdf
Datenblätter
EFC6604R.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
EFC6604R 30/Aug/2016.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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