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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH043N60
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH043N60 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH043N60
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH043N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH043N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2714

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Anzahl

Spezifikation

FCH043N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH043N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH043N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V  
Verlustleistung (max) 592W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH043  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH043N60.

Produkteigenschaften FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH041N65F-F155
Artikelnummer FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH041N65F-F155
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FCH043 - FCH060 FCH041
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V 3090 pF @ 400 V 14685 pF @ 100 V 13020 pF @ 100 V
Serie SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 44A (Tc) 56A (Tc) 76A (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 592W (Tc) 312W (Tc) 500W (Tc) 595W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 294 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 800 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA 4.5V @ 5.8mA 5V @ 7.6mA

FCH043N60 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH043N60 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH043N60 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FCH043N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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