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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH043N60
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH043N60 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FCH043N60
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FCH043N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH043N60.pdf
vorrätig: 3091

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Spezifikation

FCH043N60 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FCH043N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FCH043N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V  
Verlustleistung (max) 592W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FCH043N60.

Produkteigenschaften FCH043N60 FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155
Artikelnummer FCH043N60 FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA 4.5V @ 4.4mA
Paket Bulk Tube Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V 12225 pF @ 400 V 3090 pF @ 400 V 3090 pF @ 400 V
Verlustleistung (max) 592W (Tc) 592W (Tc) 312W (Tc) 312W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® III
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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