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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH060N80-F155
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH060N80-F155 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH060N80-F155
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH060N80-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH060N80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3856

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Anzahl

Spezifikation

FCH060N80-F155 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH060N80-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH060N80-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 5.8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14685 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH060N80-F155.

Produkteigenschaften FCH060N80-F155 FCH043N60 FCH072N60 FCH072N60
Artikelnummer FCH060N80-F155 FCH043N60 FCH072N60 FCH072N60
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Grundproduktnummer FCH060 FCH043 - FCH072
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14685 pF @ 100 V 12225 pF @ 400 V 5890 pF @ 380 V 5890 pF @ 380 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 5.8mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 592W (Tc) 481W (Tc) 481W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 75A (Tc) 52A (Tc) 52A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 29A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V

FCH060N80-F155 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH060N80-F155 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH060N80-F155 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Source Add 5/Aug/2022.pdf
Datenblätter
FCH060N80.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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