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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH070N60E
onsemi
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FCH070N60E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH070N60E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH070N60E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH070N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5950

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Anzahl

Spezifikation

FCH070N60E Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH070N60E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH070N60E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 481W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4925 pF @ 380 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH070  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH070N60E.

Produkteigenschaften FCH070N60E FCH077N65F-F085 FCH072N60 FCH043N60
Artikelnummer FCH070N60E FCH077N65F-F085 FCH072N60 FCH043N60
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 26A, 10V 77mOhm @ 27A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FCH070 - FCH072 -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4925 pF @ 380 V 7162 pF @ 25 V 5890 pF @ 380 V 12225 pF @ 400 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V
Verlustleistung (max) 481W (Tc) 481W (Tc) 481W (Tc) 592W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie SuperFET® II Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc) 54A (Tc) 52A (Tc) 75A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

FCH070N60E Datenblatt PDF

Laden Sie FCH070N60E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH070N60E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Source Add 5/Aug/2022.pdf
Datenblätter
FCH070N60E.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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