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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH085N80-F155
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH085N80-F155 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH085N80-F155
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH085N80-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 46A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH085N80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2335

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Anzahl

Spezifikation

FCH085N80-F155 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH085N80-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH085N80-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.6mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 446W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10825 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 46A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH085  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH085N80-F155.

Produkteigenschaften FCH085N80-F155 FCH104N60 FCH099N60E FCH072N60
Artikelnummer FCH085N80-F155 FCH104N60 FCH099N60E FCH072N60
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 446W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc) 481W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 46A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc) 52A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10825 pF @ 100 V 4165 pF @ 380 V 3465 pF @ 380 V 5890 pF @ 380 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FCH085 FCH104 FCH099 FCH072
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 23A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 99mOhm @ 18.5A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.6mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FCH085N80-F155 Datenblatt PDF

Laden Sie FCH085N80-F155 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH085N80-F155 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019.pdf
Datenblätter
FCH085N80.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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