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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF11N65
FCPF11N65 Image
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FCPF11N65 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF11N65
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF11N65
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCPF11N65.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

FCPF11N65 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF11N65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF11N65

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF11N65.

Produkteigenschaften FCPF11N65 FCPF13N60NT FCPF13N60NT FCPF11N65
Artikelnummer FCPF11N65 FCPF13N60NT FCPF13N60NT FCPF11N65
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V 1765 pF @ 100 V 1765 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc) 11A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F
Grundproduktnummer FCPF11 - FCPF13 FCPF11
Paket Tube Bulk Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 36W (Tc) 33.8W (Tc) 33.8W (Tc) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 258mOhm @ 6.5A, 10V 258mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 39.5 nC @ 10 V 39.5 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SuperFET™ SuperMOS™ SuperMOS™ SuperFET™
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

FCPF11N65 Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF11N65 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF11N65 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FCPF11N65.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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