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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF125N65S3
FCPF125N65S3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCPF125N65S3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF125N65S3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF125N65S3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCPF125N65S3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18123

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Anzahl

Spezifikation

FCPF125N65S3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF125N65S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF125N65S3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF125  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF125N65S3.

Produkteigenschaften FCPF125N65S3 FCPF11N65 FCPF11N60NT FCPF11N60T
Artikelnummer FCPF125N65S3 FCPF11N65 FCPF11N60NT FCPF11N60T
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 400 V 1490 pF @ 25 V 1505 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 38W (Tc) 36W (Tc) 32.1W (Tc) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Serie SuperFET® III SuperFET™ SuperMOS™ SuperFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Grundproduktnummer FCPF125 FCPF11 - FCPF11
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 11A (Tc) 10.8A (Tc) 11A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F-3 TO-220F

FCPF125N65S3 Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF125N65S3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF125N65S3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCPF125N65S3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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