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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA24N50
FDA24N50 Image
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FDA24N50 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA24N50
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA24N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA24N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5360

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Anzahl

Spezifikation

FDA24N50 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA24N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA24N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 270W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer FDA24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA24N50.

Produkteigenschaften FDA24N50 FDA28N50F FDA33N25 FDA38N30
Artikelnummer FDA24N50 FDA28N50F FDA33N25 FDA38N30
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 25 V 5387 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 12A, 10V 175mOhm @ 14A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 85mOhm @ 19A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 28A (Tc) 33A (Tc) 38A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 250 V 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 46.8 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FDA24 FDA28 FDA33 -
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Verlustleistung (max) 270W (Tc) 310W (Tc) 245W (Tc) 312W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FDA24N50 Datenblatt PDF

Laden Sie FDA24N50 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDA24N50 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDA24N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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