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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA24N40F
Fairchild Semiconductor
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FDA24N40F - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDA24N40F
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDA24N40F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA24N40F.pdf
vorrätig: 4030

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Anzahl

Spezifikation

FDA24N40F Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDA24N40F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDA24N40F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 11.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 235W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDA24N40F.

Produkteigenschaften FDA24N40F FDA38N30 FDA24N50 FDA24N50F
Artikelnummer FDA24N40F FDA38N30 FDA24N50 FDA24N50F
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 4310 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 38A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 235W (Tc) 312W (Tc) 270W (Tc) 270W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 300 V 500 V 500 V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 11.5A, 10V 85mOhm @ 19A, 10V 190mOhm @ 12A, 10V 200mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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