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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA24N50F
FDA24N50F Image
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FDA24N50F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA24N50F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA24N50F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA24N50F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17623

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Anzahl

Spezifikation

FDA24N50F Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA24N50F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA24N50F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 270W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer FDA24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA24N50F.

Produkteigenschaften FDA24N50F FDA50N50 FDA24N50 FDA28N50F
Artikelnummer FDA24N50F FDA50N50 FDA24N50 FDA28N50F
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 270W (Tc) 625W (Tc) 270W (Tc) 310W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 25 V 6460 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 5387 pF @ 25 V
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 137 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 48A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 10V 105mOhm @ 24A, 10V 190mOhm @ 12A, 10V 175mOhm @ 14A, 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Grundproduktnummer FDA24 - FDA24 FDA28
Paket Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDA24N50F Datenblatt PDF

Laden Sie FDA24N50F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDA24N50F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDA24N50F.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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