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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA28N50
FDA28N50 Image
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FDA28N50 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA28N50
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA28N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA28N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19296

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Anzahl

Spezifikation

FDA28N50 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA28N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA28N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5140 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer FDA28  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA28N50.

Produkteigenschaften FDA28N50 FDA33N25 FDA28N50F FDA24N50F
Artikelnummer FDA28N50 FDA33N25 FDA28N50F FDA24N50F
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 33A (Tc) 28A (Tc) 24A (Tc)
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer FDA28 FDA33 FDA28 FDA24
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5140 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 5387 pF @ 25 V 4310 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 245W (Tc) 310W (Tc) 270W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 250 V 500 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 14A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 175mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 46.8 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V

FDA28N50 Datenblatt PDF

Laden Sie FDA28N50 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDA28N50 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDA28N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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